企业简介
无锡芯感智半导体有限公司由中国半导体压阻式压力传感器龙头企业---麦克传感器有限公司投资设立，坐落于无锡市工业设计园的湖景科技园。 公司自成立以来，一直致力于MEMS压力传感器的研究开发，依托麦克传感器有限公司的封装测试，已成功开发出扩散硅压力敏感芯片、SOI高温压力敏感芯片、传感器以及变送器等系列产品，广泛用于汽车电子、医疗电子、家电、净化设备、水泵、空压机、气象、移动设备以及工业自动化等领域。 公司主要产品：扩散硅压力传感器芯片、SOI高温压力传感器芯片、血压计压力传感器、制氧机压力传感器、肠胃压力传感器、机油压力传感器、空压机压力传感器、空调压力传感器、水泵压力传感器、恒压供水压力传感器、液位压力传感器、压力仪表等。
无锡芯感智半导体有限公司的工商信息
- 91320211552506587A
- 91320211552506587A
- 在业
- 有限责任公司
- 2010年03月25日
- 梁志敏
- 420万元人民币
- 2010年03月25日 至 永久
- 无锡市滨湖区市场监督管理局
- 2015年12月29日
- 无锡市十八湾路288号湖景科技园10号225
- 电子元件、电子器件的加工、销售、技术服务。 （依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡芯感智半导体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 无锡芯感智半导体有限公司 | www.sencoch.com |
无锡芯感智半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105000529B | 一种基于MEMS工艺的压力传感器芯片及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种基于MEMS工艺的多压力形式压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片在制备过程由 |
| 2 | CN104280186B | 温漂自补偿SOI压力传感器的制备及补偿方法 | 2016.10.05 | 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法及补偿方法，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有 |
| 3 | CN204855051U | 一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片 | 2015.12.09 | 本实用新型提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构，构成压力 |
| 4 | CN204831651U | 一种多晶硅压阻式密封表压压力传感器芯片 | 2015.12.02 | 本实用新型提出一种多晶硅压阻式密封表压压力传感器芯片，所述压力传感器芯片为密封表压形式，多层复合膜作 |
| 5 | CN105000529A | 一种基于MEMS工艺的压力传感器芯片及其制备方法 | 2015.10.28 | 本发明涉及一种基于MEMS工艺的多压力形式压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片在制备过程由 |
| 6 | CN104931163A | 一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法 | 2015.09.23 | 本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构， |
| 7 | CN104280186A | 温漂自补偿SOI压力传感器的制备及补偿方法 | 2015.01.14 | 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法及补偿方法，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有 |
| 8 | CN101854578B | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 | 2013.03.27 | 本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背 |
| 9 | CN101835079B | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 | 2013.01.02 | 本发明涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其包括基板；所述基板的中心区淀积有振膜；基板对应于设置 |
| 10 | CN202305094U | SOI结构高温压力传感器 | 2012.07.04 | 本实用新型公开了一种SOI结构高温MEMS压力传感器，该装置采用双面抛光硅片作为衬底片，所述衬底片上 |
| 11 | CN102445301A | 温漂自补偿SOI压力传感器 | 2012.05.09 | 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥 |
| 12 | CN202153165U | 一种电容式MEMS压力传感器 | 2012.02.29 | 本实用新型公开了一种采用表面微机械加工工艺研制的电容式MEMS压力传感器，该压力传感器采用硅片作为基 |
| 13 | CN201750548U | 一种电容式微型麦克风 | 2011.02.16 | 本实用新型涉及MEMS技术，尤其是一种电容式微型麦克风。其包括基板；所述基板上部设有凹槽；所述基板与 |
| 14 | CN201699978U | 一种电容式微型硅麦克风 | 2011.01.05 | 本实用新型涉及一种电容式微型硅麦克风。其包括基板；所述基板的中心区淀积有振膜；基板对应于设置基板的表 |
| 15 | CN201653605U | 一种基于硅硅键合的压力传感器 | 2010.11.24 | 本实用新型涉及一种基于硅硅键合的压力传感器。其衬底硅片上设有结构硅片，结构硅片与衬底硅片通过硅键合固 |
| 16 | CN201653604U | 一种压力传感器 | 2010.11.24 | 本实用新型涉及一种压力传感器，包括衬底；所述衬底上部凹设有浅杯槽；衬底对应于设置浅杯槽的表面淀积有压 |
| 17 | CN101854578A | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 | 2010.10.06 | 本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背 |
| 18 | CN101835079A | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 | 2010.09.15 | 本发明涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其包括基板；所述基板的中心区淀积有振膜；基板对应于设置 |
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